性价比国产自研桌面型掩膜对准紫外光刻机

光刻技术是现代半导体、微电子、信息产业的基础，是集成电路重要的加工工艺。光刻 胶在紫外光的照射下发生化学变化，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的 图形转移到硅片上形成集成电路。本设备是我公司针对企业及科研单位研发的一种精密光刻机，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。

二、主要性能指标 1、 曝光类型：单面； 

2、 曝光面积：110×110mm； 

3、 曝光照度不均匀性：≤±5%； 

4、 紫外光束角：≤5° 

5、 紫外光中心波长：254nm/365nm（出厂时标准配置为 365nm，其他波段可选配，需在订货 时提出）；

6、 紫外光源时间：≥2 万小时；

7、 采用电子快门； 

8、 曝光分辨率：2μm； 

9、 显微镜扫描范围：X：±50mm，Y：±50mm； 

10、 对准范围：X、Y 调节±6.5mm，Q 向 360°粗调，±5°精调； 

11、 套刻精度：2μm（用户的“版”、“片”精度符合国家规定，环境、温度、湿度、 尘埃能得到严格控制，采用进口正性光刻胶，且匀胶厚度能得到严格控制，加之前后工艺）； 

12、 曝光方式：接触式曝光；

13、 显微系统：单目 CCD 显微系统，2000 倍金相同轴光显微镜；光学放大倍数 0.7X-4.5X; 高清 2K 工业 CCD 相机；LED 同轴光源；13.3 寸挂屏； 

14、 掩模版尺寸：≤127×127mm； 

15、 基片尺寸：≤Φ100mm； 

16、 基片厚度：≤5mm； 

17、 曝光定时：0～999.9 秒（可调）； 

18、 电源：单相 AC220V 50HZ； 

19、 设备所需能源：220V±10%，50HZ；